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DMG3414U
1.0
10
T A = 25°C
0.8
0.6
0.4
I D = 250μA
1
0.1
0.01
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.4
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
100,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
10,000
T A = 125°C
1,000
C iss
1,000
100
T A = 85°C
100
C oss
C rss
10
T A = 25°C
T A = -55°C
10
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
1
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
Fig. 9 Typical Total Capacitance
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
D = 0.02
R ? JA = 166°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R ? JA (t)
D = 0.005
D = Single Pulse
t 2
-T
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMG3414U
Document number: DS31739 Rev. 4 - 2
4 of 6
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
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